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量子反常霍爾效應(yīng)的示意圖，拓?fù)浞瞧接沟哪軒ЫY(jié)構(gòu)產(chǎn)生具有手征性的邊緣態(tài)，從而導(dǎo)致量子反�；魻栃�(yīng) 2012年10月，課題組終于發(fā)現(xiàn)在一定的外加?xùn)艠O電壓范圍內(nèi)，此材料在零磁場(chǎng)中的反�；魻栯娮柽_(dá)到了量子霍爾效應(yīng)的特征值h/e2~25800歐姆——世界難題得以攻克。薛其坤團(tuán)隊(duì)經(jīng)過(guò)近4年的研究，生長(zhǎng)測(cè)量了1000多個(gè)樣品。利用分子束外延方法，生長(zhǎng)出了高質(zhì)量的Cr摻雜（Bi，Sb）2Te3拓?fù)浣^緣體磁性薄膜，并在極低溫輸運(yùn)測(cè)量裝置上成功觀測(cè)到了量子反�；魻栃�(yīng)。量子反�；魻栃�(yīng)的價(jià)值在于材料應(yīng)用，以造出低功耗的電子器件。
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